MOSFET
STLD200N4F6AG
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
STMicroelectronicsSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
NRND
Code HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
40
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
3.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
120
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
1
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
1.5@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
172@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
172
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
10700@10V
Tension seuil de barrière minimale (V)
2.5
Capacitance type de sortie (pF)
1530
Dissipation de puissance maximale (mW)
158000
Temps de descente type (ns)
410
Temps de montée type (ns)
440
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
600
Délai type de mise en marche (ns)
150
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Échelle de température du fournisseur
Automotive
Emballage
Tape and Reel
Tension maximale de source barrière positive (V)
20
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
480
Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
31.3
Tension maximale directe de diode (V)
1.2
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.71
Largeur du paquet
6
Longueur du paquet
5
Carte électronique changée
8
Conditionnement du fournisseur
Power Flat EP
Décompte de broches
8
Forme de sonde
No Lead
Quantité de commande