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MOSFET

SSM3K36MFV,L3F(T

Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.5A 3-Pin VESM T/R

Toshiba
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.21.00.95
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Small Signal
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    20
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±10
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.5
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    630@5V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    1.23@4V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    46@10V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    150
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Largeur du paquet
    0.8 mm
  • Longueur du paquet
    1.2 mm
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    VESM
  • Décompte de broches
    3

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception