Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain
Prozesstechnologie
2700nm
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
P
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
60
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.5
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
5.3
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
10000000
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
95@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
15.3@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
15.3
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
700@30V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
5000
Typische Abfallzeit (ns)
33
Typische Anstiegszeit (ns)
24
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
26
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1(Max)
Verpackungsbreite
1.65
Verpackungslänge
3.05
Leiterplatte geändert
6
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSOP
Stiftanzahl
6
Leitungsform
Gull-wing