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MOSFET

SIS468DN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Vishay
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    NRND
  • Code HTS
    COMPONENTS
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single Quad Drain Triple Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    80
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    30
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    19.5@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    18.1@10V|13.8@7.5V|8.7@4.5V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    18.1
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    780@40V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    3700
  • Temps de descente type (ns)
    9
  • Temps de montée type (ns)
    11
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    15
  • Délai type de mise en marche (ns)
    9
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.07(Max)
  • Largeur du paquet
    3.05
  • Longueur du paquet
    3.05
  • Carte électronique changée
    8
  • Conditionnement du fournisseur
    PowerPAK 1212 EP
  • Décompte de broches
    8
  • Forme de sonde
    No Lead
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception