Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Dual Dual Drain
Technologie de traitement
0.18um
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
2
Tension drain-source maximale (V)
20
Tension minimale de source barrière (V)
±12
Tension seuil de barrière maximale (V)
1.5
Courant de drain continu maximal (A)
8
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
1
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
18@4.5V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
10@4.5V|22@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
22
Barrière type pour drainer la charge (nC)
1.7
Barrière type à la source de la charge (nC)
2.5
Charge de récupération inverse type (nC)
10
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
1200@10V
Capacitance type de sortie (pF)
220
Dissipation de puissance maximale (mW)
2000
Temps de descente type (ns)
10|12
Temps de montée type (ns)
10|12
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
25|35
Délai type de mise en marche (ns)
10|15
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
15@4.5V|17@2.5V
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1.55(Max)
Largeur du paquet
4(Max)
Longueur du paquet
5(Max)
Carte électronique changée
8
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
SOIC N
Décompte de broches
8
Forme de sonde
Gull-wing
Quantité de commande