Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
60
Tension minimale de source barrière (V)
±20
Tension seuil de barrière maximale (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
6
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
1
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
22@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
18@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
18
Barrière type pour drainer la charge (nC)
5.3
Barrière type à la source de la charge (nC)
3.4
Tension seuil de barrière minimale (V)
1
Capacitance type de sortie (pF)
110
Dissipation de puissance maximale (mW)
3300
Temps de descente type (ns)
12
Temps de montée type (ns)
10
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
25
Délai type de mise en marche (ns)
10
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
25@4.5V|18@10V
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
40
Tension type directe de diode (V)
0.8
Temps inverse de recouvrement type (ns)
50
Tension maximale directe de diode (V)
1.2
Résistance de barrière minimale (Ohm)
0.5
Résistance de barrière maximale (Ohm)
2.4
Tension maximale de source barrière positive (V)
20
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1.55(Max)
Largeur du paquet
4(Max)
Longueur du paquet
5(Max)
Carte électronique changée
8
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
SOIC N
Décompte de broches
8
Forme de sonde
Gull-wing