Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
LTB
Code HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
SiC
Configuration
Single Dual Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
1200
Tension minimale de source barrière (V)
22
Courant de drain continu maximal (A)
91
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
30@18V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
150@18V
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
3540@800V
Dissipation de puissance maximale (mW)
547000
Temps de descente type (ns)
18
Temps de montée type (ns)
9
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
36
Délai type de mise en marche (ns)
15.5
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
200
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Emballage
Tube
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
21 mm
Largeur du paquet
5 mm
Longueur du paquet
15.8 mm
Carte électronique changée
4
Onglet
Tab
Conditionnement du fournisseur
HIP-247
Décompte de broches
4