Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Obsolete
Code HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
SiC
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
1200
Tension minimale de source barrière (V)
25
Tension seuil de barrière maximale (V)
3(Typ)
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 200
Courant de drain continu maximal (A)
65
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
100
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
69@20V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
122@20V
Barrière type pour drainer la charge (nC)
35
Barrière type à la source de la charge (nC)
19
Charge de récupération inverse type (nC)
230
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
1900@400V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
30@400V
Tension seuil de barrière minimale (V)
1.8
Capacitance type de sortie (pF)
170
Dissipation de puissance maximale (mW)
318000
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
200
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Emballage
Tube
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
52@20V
Tension maximale de source barrière positive (V)
25
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
130
Tension type directe de diode (V)
3.5
Tension de plateau de barrière type (V)
8
Temps inverse de recouvrement type (ns)
55
Tension seuil de barrière type (V)
3
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
20
Largeur du paquet
5
Longueur du paquet
15.6
Carte électronique changée
3
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
HIP-247
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Through Hole