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MOSFET

PMZB550UNEYL

Trans MOSFET N-CH 30V 0.59A 3-Pin DFN-B T/R

Nexperia
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.21.00.95
  • SVHC
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Small Signal
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    30
  • Tension minimale de source barrière (V)
    8
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    0.95
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.59
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    5000
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    670@4.5V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    0.6@4.5V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    30.3@15V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    400
  • Temps de descente type (ns)
    3
  • Temps de montée type (ns)
    7
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    12
  • Délai type de mise en marche (ns)
    4
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.36(Max)
  • Largeur du paquet
    1
  • Longueur du paquet
    0.6
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    DFN
  • Conditionnement du fournisseur
    DFN-B
  • Décompte de broches
    3
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception