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Phototransistor

OP505B

No Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Bag

TT Electronics / Optek Technology
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.21.00.95
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    Chip
  • Type de phototransistor
    Phototransistor
  • Type de forme d'objectif
    Domed
  • Couleur d'objectif
    Blue
  • Matériau
    Silicon
  • Nombre de canaux par puce
    1
  • Polarité
    NPN
  • Orientation de visualisation
    Top View
  • Crête de longueur d'onde (nm)
    935
  • Courant de lumière maximal (uA)
    5950
  • Courant collecteur maximal (mA)
    20
  • Courant d'obscurité maximal (nA)
    100
  • Tension maximale de collecteur émetteur (V)
    5
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    30
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.4
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    100
  • Technologie de fabrication
    NPN Transistor
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -40
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    100
  • Emballage
    Bag
  • Diamètre
    3.94
  • Installation
    Through Hole
  • Hauteur du paquet
    5.59
  • Carte électronique changée
    2
  • Conditionnement du fournisseur
    T-1
  • Décompte de broches
    2
  • Forme de sonde
    Through Hole

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception