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MOSFET

NTR5103NT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

onsemi
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Small Signal
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    60
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±30
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    2.6
  • Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.26
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    200
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    2500@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    0.81@5V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    26.7@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    420
  • Temps de descente type (ns)
    3.6
  • Temps de montée type (ns)
    1.2
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    4.8
  • Délai type de mise en marche (ns)
    1.7
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Tension maximale de source barrière positive (V)
    30
  • Tension maximale directe de diode (V)
    1.2
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.94
  • Largeur du paquet
    1.3
  • Longueur du paquet
    2.9
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-23
  • Décompte de broches
    3
  • Forme de sonde
    Gull-wing

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception