The ON Semiconductor MOSFETs are able to quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. It has 1 number of elements per chip. The maximum Drain Source Voltage of the product is 60 V and Gate Source Voltage is ±20 V. Its maximum power dissipation is 1250 mW. This MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 150°C.
Features and Benefits:
• Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching
• 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive
• SOT-23 Surface Mount for Small Footprint
• NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant
Application:
• Load/Power Switch for Portables
• Load/Power Switch for Computing
• DC-DC Conversion
Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
NTR4501NT1G
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
20
Tension minimale de source barrière (V)
±12
Tension seuil de barrière maximale (V)
1.2
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Courant de drain continu maximal (A)
3.2
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
1.5
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
80@4.5V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
2.4@4.5V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
2.4
Barrière type pour drainer la charge (nC)
0.6
Barrière type à la source de la charge (nC)
0.5
Charge de récupération inverse type (nC)
3
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
200@10V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
50@10V
Tension seuil de barrière minimale (V)
0.65
Capacitance type de sortie (pF)
80
Dissipation de puissance maximale (mW)
1250
Temps de descente type (ns)
3
Temps de montée type (ns)
12
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
12
Délai type de mise en marche (ns)
6.5
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
70@4.5V|88@2.5V
Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W)
1.25
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
10
Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
300
Tension type directe de diode (V)
0.8
Tension de plateau de barrière type (V)
1.7
Temps inverse de recouvrement type (ns)
7.1
Tension maximale directe de diode (V)
1.2
Tension maximale de source barrière positive (V)
12
Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)
3.2
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.94
Largeur du paquet
1.3
Longueur du paquet
2.9
Carte électronique changée
3
Nom de lemballage standard
SOT
Conditionnement du fournisseur
SOT-23
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Gull-wing