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Rectifiers

MUR10020CT

Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower

GeneSiC Semiconductor
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.10.00.80
  • SVHC
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    Switching Diode
  • Tension inverse CC maximale (V)
    200
  • Configuration
    Dual Common Cathode
  • Tension inverse répétitive de crête (V)
    200
  • Courant avant continu maximal (A)
    100
  • Courant de surcharge de crête non répétitif (A)
    1500
  • Tension directe de crête (V)
    1@50A
  • Courant inverse de crête (uA)
    25
  • Temps inverse de recouvrement de crête (ns)
    75
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Installation
    Screw
  • Largeur du paquet
    20.32(Max)
  • Longueur du paquet
    92.4(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    Twin Tower
  • Décompte de broches
    3

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception