Arrow Electronic Components Online
IXTH110N25T|IXYS|simage
IXTH110N25T|IXYS|limage
MOSFET

IXTH110N25T

Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

IXYS
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS EU
    Compliant with Exemption
  • ECCN (USA)
    EAR99
  • Part Status
    Active
  • SVHC
    Yes
  • SVHC überschreitet Schwellenwert
    Yes
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Unknown
  • Kategorie
    Power MOSFET
  • Konfiguration
    Single
  • Kanalmodus
    Enhancement
  • Kanalart
    N
  • Anzahl von Elementen pro Chip
    1
  • Max. Drain-Source-Spannung (V)
    250
  • Max. Gate-Source-Spannung (V)
    ±20
  • Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
    5
  • Max. Dauer-Drain-Strom (A)
    110
  • Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
    200
  • Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
    5
  • Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
    26@10V
  • Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
    157@10V
  • Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
    157
  • Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
    9400@25V
  • Max. Leistungsaufnahme (mW)
    694000
  • Typische Abfallzeit (ns)
    27
  • Typische Anstiegszeit (ns)
    27
  • Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
    60
  • Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
    19
  • Mindestbetriebstemperatur (°C)
    -55
  • Max. Betriebstemperatur (°C)
    150
  • Befestigung
    Through Hole
  • Verpackungshöhe
    21.46(Max)
  • Verpackungsbreite
    5.3(Max)
  • Verpackungslänge
    16.26(Max)
  • Leiterplatte geändert
    3
  • Tab
    Tab
  • Standard-Verpackungsname
    TO
  • Lieferantenverpackung
    TO-247AD
  • Stiftanzahl
    3

Aucun prix n'est disponible pour le moment. Veuillez réessayer plus tard.

Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception