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Puce DRAM

IS46R16320E-5BLA1

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100

Integrated Silicon Solution Inc
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8542.32.00.28
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Yes
  • Type
    DDR SDRAM
  • Densité (bit)
    512M
  • Organisation
    32Mx16
  • Nombre de banques internes
    4
  • Nombre de mots par banque
    8M
  • Nombre de bits par mot (bit)
    16
  • Largeur du bus de données (bit)
    16
  • Fréquence d'horloge maximale (MHz)
    200
  • Temps maximal d'accès (ns)
    0.7
  • Largeur de Bus d'adresse (bit)
    15
  • Type d'interface
    SSTL_2
  • Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
    2.3
  • Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
    2.7
  • Courant de fonctionnement maximal (mA)
    260
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -40
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    85
  • Échelle de température du fournisseur
    Automotive
  • Nombre de lignes E/S (bit)
    16
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.8(Max)
  • Largeur du paquet
    8
  • Longueur du paquet
    13
  • Carte électronique changée
    60
  • Nom de lemballage standard
    BGA
  • Conditionnement du fournisseur
    TFBGA
  • Décompte de broches
    60
  • Forme de sonde
    Ball

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception