Puce DRAM
IS45S16320F-7BLA2
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TW-BGA Automotive AEC-Q100
Integrated Silicon Solution IncSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8542.32.00.28
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Type
SDRAM
Densité (bit)
512M
Organisation
32Mx16
Nombre de banques internes
4
Nombre de mots par banque
8M
Nombre de bits par mot (bit)
16
Largeur du bus de données (bit)
16
Fréquence d'horloge maximale (MHz)
143
Temps maximal d'accès (ns)
5.4
Largeur de Bus d'adresse (bit)
15
Type d'interface
LVTTL
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
3
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
3.6
Courant de fonctionnement maximal (mA)
150
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
105
Échelle de température du fournisseur
Automotive
Nombre de lignes E/S (bit)
16
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.8(Max) + 0.15
Largeur du paquet
8
Longueur du paquet
13
Carte électronique changée
54
Nom de lemballage standard
BGA
Conditionnement du fournisseur
TW-BGA
Décompte de broches
54
Quantité de commande

