Puce DRAM
IS45S16320F-6TLA1-TR
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Automotive AEC-Q100
Integrated Silicon Solution IncSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
LTB
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Type
SDRAM
Densité (bit)
512M
Organisation
32Mx16
Nombre de banques internes
4
Nombre de mots par banque
8M
Nombre de bits par mot (bit)
16
Largeur du bus de données (bit)
16
Fréquence d'horloge maximale (MHz)
167
Temps maximal d'accès (ns)
5.4|6
Largeur de Bus d'adresse (bit)
15
Type d'interface
LVTTL
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
3
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
3.6
Courant de fonctionnement maximal (mA)
180
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
85
Échelle de température du fournisseur
Automotive
Nombre de lignes E/S (bit)
16
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1
Largeur du paquet
10.16
Longueur du paquet
22.22
Carte électronique changée
54
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
TSOP-II
Décompte de broches
54

