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Puce DRAM

IS45S16320F-6BLA1-TR

DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TWBGA T/R Automotive AEC-Q100

Integrated Silicon Solution Inc
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Yes
  • Type
    SDRAM
  • Densité (bit)
    512M
  • Organisation
    32Mx16
  • Nombre de banques internes
    4
  • Nombre de mots par banque
    8M
  • Nombre de bits par mot (bit)
    16
  • Largeur du bus de données (bit)
    16
  • Fréquence d'horloge maximale (MHz)
    167
  • Temps maximal d'accès (ns)
    6|5.4
  • Largeur de Bus d'adresse (bit)
    15
  • Type d'interface
    LVTTL
  • Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
    3
  • Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
    3.6
  • Courant de fonctionnement maximal (mA)
    180
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -40
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    85
  • Échelle de température du fournisseur
    Automotive
  • Nombre de lignes E/S (bit)
    16
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.8(Max) + 0.15
  • Largeur du paquet
    8
  • Longueur du paquet
    13
  • Carte électronique changée
    54
  • Nom de lemballage standard
    BGA
  • Conditionnement du fournisseur
    TWBGA
  • Décompte de broches
    54

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception