Puce DRAM
IS45S16320F-6BLA1-TR
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TWBGA T/R Automotive AEC-Q100
Integrated Silicon Solution IncSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Type
SDRAM
Densité (bit)
512M
Organisation
32Mx16
Nombre de banques internes
4
Nombre de mots par banque
8M
Nombre de bits par mot (bit)
16
Largeur du bus de données (bit)
16
Fréquence d'horloge maximale (MHz)
167
Temps maximal d'accès (ns)
6|5.4
Largeur de Bus d'adresse (bit)
15
Type d'interface
LVTTL
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
3
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
3.6
Courant de fonctionnement maximal (mA)
180
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
85
Échelle de température du fournisseur
Automotive
Nombre de lignes E/S (bit)
16
Emballage
Tape and Reel
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.8(Max) + 0.15
Largeur du paquet
8
Longueur du paquet
13
Carte électronique changée
54
Nom de lemballage standard
BGA
Conditionnement du fournisseur
TWBGA
Décompte de broches
54