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IS45S16100H7BLA2|ISSI|simage
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Puce DRAM

IS45S16100H-7BLA2

DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100

Integrated Silicon Solution Inc
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8542.32.00.02
  • Automotive
    Yes
  • PPAP
    Yes
  • Type
    SDRAM
  • Densité (bit)
    16M
  • Organisation
    1Mx16
  • Nombre de banques internes
    2
  • Nombre de mots par banque
    512K
  • Nombre de bits par mot (bit)
    16
  • Largeur du bus de données (bit)
    16
  • Fréquence d'horloge maximale (MHz)
    143
  • Temps maximal d'accès (ns)
    6|5.5
  • Largeur de Bus d'adresse (bit)
    12
  • Type d'interface
    LVTTL
  • Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
    3
  • Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
    3.6
  • Courant de fonctionnement maximal (mA)
    80
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -40
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    105
  • Échelle de température du fournisseur
    Automotive
  • Nombre de lignes E/S (bit)
    16
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    0.85(Max)
  • Largeur du paquet
    6.4
  • Longueur du paquet
    10.1
  • Carte électronique changée
    60
  • Nom de lemballage standard
    BGA
  • Conditionnement du fournisseur
    TFBGA
  • Décompte de broches
    60
  • Forme de sonde
    Ball
Quantité de commande

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception