Puce DRAM
IS45S16100H-7BLA2
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA Automotive AEC-Q100
Integrated Silicon Solution IncSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8542.32.00.02
Automotive
Yes
PPAP
Yes
Type
SDRAM
Densité (bit)
16M
Organisation
1Mx16
Nombre de banques internes
2
Nombre de mots par banque
512K
Nombre de bits par mot (bit)
16
Largeur du bus de données (bit)
16
Fréquence d'horloge maximale (MHz)
143
Temps maximal d'accès (ns)
6|5.5
Largeur de Bus d'adresse (bit)
12
Type d'interface
LVTTL
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
3
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
3.6
Courant de fonctionnement maximal (mA)
80
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
105
Échelle de température du fournisseur
Automotive
Nombre de lignes E/S (bit)
16
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.85(Max)
Largeur du paquet
6.4
Longueur du paquet
10.1
Carte électronique changée
60
Nom de lemballage standard
BGA
Conditionnement du fournisseur
TFBGA
Décompte de broches
60
Forme de sonde
Ball
Quantité de commande

