Puce DRAM

IS43R86400F-5BLI

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.5V 60-Pin TW-BGA

Integrated Silicon Solution Inc

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8542.32.00.28

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Type

  DDR SDRAM

• Densité (bit)

  512M

• Organisation

  64Mx8

• Nombre de banques internes

  4

• Nombre de mots par banque

  16M

• Nombre de bits par mot (bit)

  8

• Largeur du bus de données (bit)

  8

• Fréquence d'horloge maximale (MHz)

  200

• Temps maximal d'accès (ns)

  0.7

• Largeur de Bus d'adresse (bit)

  15

• Type d'interface

  SSTL_2

• Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)

  2.3

• Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)

  2.7

• Courant de fonctionnement maximal (mA)

  150

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  85

• Échelle de température du fournisseur

  Industrial

• Nombre de lignes E/S (bit)

  8

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1(Max)

• Largeur du paquet

  8

• Longueur du paquet

  13

• Carte électronique changée

  60

• Nom de lemballage standard

  BGA

• Conditionnement du fournisseur

  TW-BGA

• Décompte de broches

  60