Puce DRAM
IS43LR16800G-6BL
DRAM Chip DDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Integrated Silicon Solution IncSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8542.32.00.02
Automotive
No
PPAP
No
Type
DDR SDRAM
Densité (bit)
128M
Organisation
8Mx16
Nombre de banques internes
4
Nombre de mots par banque
2M
Nombre de bits par mot (bit)
16
Largeur du bus de données (bit)
16
Fréquence d'horloge maximale (MHz)
166
Temps maximal d'accès (ns)
6
Largeur de Bus d'adresse (bit)
14
Type d'interface
LVCMOS
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
1.7
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
1.95
Courant de fonctionnement maximal (mA)
80
Température de fonctionnement minimale (°C)
0
Température de fonctionnement maximale (°C)
70
Échelle de température du fournisseur
Commercial
Nombre de lignes E/S (bit)
16
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.7(Max)
Largeur du paquet
8
Longueur du paquet
10
Carte électronique changée
60
Nom de lemballage standard
BGA
Conditionnement du fournisseur
TFBGA
Décompte de broches
60
Forme de sonde
Ball