Puce DRAM
IS42S32160F-6TLI
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
Integrated Silicon Solution IncSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
LTB
Code HTS
8542.32.00.28
Automotive
No
PPAP
No
Type
SDRAM
Densité (bit)
512M
Organisation
16Mx32
Nombre de banques internes
4
Nombre de mots par banque
4M
Nombre de bits par mot (bit)
32
Largeur du bus de données (bit)
32
Fréquence d'horloge maximale (MHz)
167
Temps maximal d'accès (ns)
5.4|6
Largeur de Bus d'adresse (bit)
15
Type d'interface
LVTTL
Tension d'alimentation minimale en fonctionnement (V)
3
Tension d'alimentation maximale en fonctionnement (V)
3.6
Courant de fonctionnement maximal (mA)
245
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
85
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Nombre de lignes E/S (bit)
32
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1.05(Max)
Largeur du paquet
10.29(Max)
Longueur du paquet
22.42(Max)
Carte électronique changée
86
Nom de lemballage standard
SO
Conditionnement du fournisseur
TSOP-II
Décompte de broches
86

