Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant with Exemption
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
Si
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
55
Tension minimale de source barrière (V)
±16
Tension seuil de barrière maximale (V)
3
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
61
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
200
IDSS maximal (uA)
20
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
14@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
61@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
61
Barrière type pour drainer la charge (nC)
17
Barrière type à la source de la charge (nC)
9
Charge de récupération inverse type (nC)
110
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
1870@25V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
74@25V
Tension seuil de barrière minimale (V)
1
Capacitance type de sortie (pF)
2380
Dissipation de puissance maximale (mW)
120000
Temps de descente type (ns)
100
Temps de montée type (ns)
51
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
83
Délai type de mise en marche (ns)
7.4
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
12@10V|14@5V
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
240
Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
50
Tension de plateau de barrière type (V)
2.8
Temps inverse de recouvrement type (ns)
62
Tension maximale directe de diode (V)
1.3
Tension maximale de source barrière positive (V)
16
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
2.29
Largeur du paquet
6.1
Longueur du paquet
6.54
Carte électronique changée
2
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
DPAK
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Gull-wing
Quantité de commande