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MOSFET

IRFS7437TRL7PP

Trans MOSFET N-CH Si 40V 295A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Infineon Technologies AG
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    NRND
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single Quint Source
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    40
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    3.9
  • Courant de drain continu maximal (A)
    295
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    1.4@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    150@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    150
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    7437@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    231000
  • Temps de descente type (ns)
    51
  • Temps de montée type (ns)
    62
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    78
  • Délai type de mise en marche (ns)
    18
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    1.1@10V|1.7@6V
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    4.83(Max)
  • Largeur du paquet
    9.65(Max)
  • Longueur du paquet
    10.67(Max)
  • Carte électronique changée
    6
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    D2PAK
  • Décompte de broches
    7

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception