Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
900
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
1.2
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
8000@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
38(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
38(Max)
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
490@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
30000
Typische Abfallzeit (ns)
32
Typische Anstiegszeit (ns)
21
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
56
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Befestigung
Through Hole
Verpackungshöhe
16.12(Max)
Verpackungsbreite
4.83(Max)
Verpackungslänge
10.63(Max)
Leiterplatte geändert
3
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
TO-220FP
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Through Hole