Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2.25
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
13
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
10@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
9.5@4.5V
Typische Gate-Drain-Ladung (nC)
3
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1210@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2500
Typische Abfallzeit (ns)
3.8
Typische Anstiegszeit (ns)
6.3
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
11
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8.7
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.5(Max)
Verpackungsbreite
4(Max)
Verpackungslänge
5(Max)
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
SOIC
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing