Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
100
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
9.2
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
270@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
16(Max)@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
16(Max)
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
360@25V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3700
Typische Abfallzeit (ns)
20
Typische Anstiegszeit (ns)
30
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
19
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
8.8
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
4.83(Max)
Verpackungsbreite
9.65(Max)
Verpackungslänge
10.41(Max)
Leiterplatte geändert
2
Tab
Tab
Standard-Verpackungsname
TO
Lieferantenverpackung
D2PAK
Stiftanzahl
3
Leitungsform
Gull-wing