Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
EA
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
Yes
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Hex Drain Quint Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
20
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
53
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
0.55@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
118@10V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
8200@20V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
3000
Typische Abfallzeit (ns)
15
Typische Anstiegszeit (ns)
92
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
44
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
14
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.05(Max)
Verpackungsbreite
6
Verpackungslänge
8
Leiterplatte geändert
12
Lieferantenverpackung
TSON EP
Stiftanzahl
12
Quantité de commande