MOSFET

IPB60R120C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Obsolete

• Code HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  600

• Tension minimale de source barrière (V)

  20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  4

• Courant de drain continu maximal (A)

  19

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  1

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  120@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  34@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  34

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  1500@400V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  92000

• Temps de descente type (ns)

  5

• Temps de montée type (ns)

  7

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  52

• Délai type de mise en marche (ns)

  10.7

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  103@10V

• Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)

  66

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  4.4

• Largeur du paquet

  9.25

• Longueur du paquet

  10

• Carte électronique changée

  2

• Onglet

  Tab

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  D2PAK

• Décompte de broches

  3