MOSFET
IMW65R072M1HXKSA1
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Infineon Technologies AGSpécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
NRND
Code HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
SiC
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
650
Tension minimale de source barrière (V)
23
Tension seuil de barrière maximale (V)
5.7
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
26
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
100
IDSS maximal (uA)
100
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
94@18V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
22@18V
Barrière type pour drainer la charge (nC)
5
Barrière type à la source de la charge (nC)
6
Charge de récupération inverse type (nC)
90
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
744@400V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
9@400V
Tension seuil de barrière minimale (V)
3.5
Capacitance type de sortie (pF)
86
Dissipation de puissance maximale (mW)
115000
Temps de descente type (ns)
6
Temps de montée type (ns)
14.6
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
21.6
Délai type de mise en marche (ns)
18.2
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Emballage
Tube
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
72@18V
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
69
Tension type directe de diode (V)
4
Tension de plateau de barrière type (V)
7.5
Temps inverse de recouvrement type (ns)
53
Tension seuil de barrière type (V)
4.5
Tension maximale de source barrière positive (V)
23
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
21
Largeur du paquet
5
Longueur du paquet
15.8
Carte électronique changée
3
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
TO-247
Décompte de broches
3
Forme de sonde
Through Hole