Puce IGBT

IKW75N65EH5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Technologie

  Trench Stop 5

• Type de canal

  N

• Configuration

  Single

• Tension grille-émetteur maximale (V)

  ±20

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  650

• Tension de saturation collecteur-émetteur type (V)

  1.65

• Courant collecteur continu maximal (A)

  90

• Courant maximal de fuite d'émetteur de barrière (uA)

  0.1

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  395

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Emballage

  Tube

• Installation

  Through Hole

• Hauteur du paquet

  21 mm

• Largeur du paquet

  5 mm

• Longueur du paquet

  15.8 mm

• Carte électronique changée

  3

• Onglet

  Tab

• Nom de lemballage standard

  TO

• Conditionnement du fournisseur

  TO-247

• Décompte de broches

  3

• Forme de sonde

  Through Hole