MOSFET

IAUCN10S7N021ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 25A 8-Pin TDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé

  Yes

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Catégorie

  Power MOSFET

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  100

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 175

• Courant de drain continu maximal (A)

  25

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  2.1@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  81@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  81

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  5502@50V

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  217000

• Temps de descente type (ns)

  11

• Temps de montée type (ns)

  10

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  16

• Délai type de mise en marche (ns)

  10

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Échelle de température du fournisseur

  Automotive

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  1

• Largeur du paquet

  5.48

• Longueur du paquet

  5.15

• Carte électronique changée

  8

• Conditionnement du fournisseur

  TDSON EP

• Décompte de broches

  8