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GP BJT

HN4C51J(TE85L,F)

Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R

Toshiba
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Type
    NPN
  • Catégorie
    Bipolar Small Signal
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Dual Common Base
  • Nombre d'éléments par puce
    2
  • Tension de base maximale du collecteur (V)
    120
  • Tension collecteur-émetteur maximale (V)
    120
  • Tension de base maximale de l'émetteur (V)
    5
  • Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
    0.3@1mA@10mA
  • Courant collecteur CC maximal (A)
    0.1
  • Gain de courant CC minimal
    200@2mA@6V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    300
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.1
  • Largeur du paquet
    1.6
  • Longueur du paquet
    2.9
  • Carte électronique changée
    5
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SMV
  • Décompte de broches
    5
  • Forme de sonde
    Gull-wing

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception