Modules IGBT

FP100R12KT4BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant with Exemption

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Type de canal

  N

• Configuration

  Hex

• Tension de saturation collecteur-émetteur type (V)

  1.75

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  1200

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  515

• Tension grille-émetteur maximale (V)

  ±20

• Courant collecteur continu maximal (A)

  100

• Courant maximal de fuite d'émetteur de barrière (uA)

  0.1

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  175

• Emballage

  Tray

• Installation

  Screw

• Hauteur du paquet

  17

• Largeur du paquet

  62.5

• Longueur du paquet

  122

• Carte électronique changée

  35

• Conditionnement du fournisseur

  ECONO3-3

• Décompte de broches

  35