Modules IGBT

FF150R12KT3GHOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  NRND

• Code HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Type de canal

  N

• Configuration

  Dual

• Tension de saturation collecteur-émetteur type (V)

  1.7

• Tension collecteur-émetteur maximale (V)

  1200

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  780

• Tension grille-émetteur maximale (V)

  ±20

• Courant collecteur continu maximal (A)

  225

• Courant maximal de fuite d'émetteur de barrière (uA)

  0.4

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -40

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  125

• Emballage

  Tray

• Installation

  Screw

• Hauteur du paquet

  29

• Largeur du paquet

  61.4

• Longueur du paquet

  106.4

• Carte électronique changée

  7

• Conditionnement du fournisseur

  62MM-1

• Décompte de broches

  7