GP BJT

EMZ1T2R

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 150mW 6-Pin EMT T/R

ROHM Semiconductor

Spécifications techniques du produit

• RoHS EU

  Compliant

• ECCN (USA)

  EAR99

• Part Status

  Active

• HTS

  COMPONENTS

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Typ

  NPN|PNP

• Kategorie

  Bipolar Small Signal

• Material

  Si

• Konfiguration

  Dual

• Anzahl von Elementen pro Chip

  2

• Max. Kollektor-Basis-Spannung (V)

  60

• Max. Kollektor-Emitterspannung (V)

  50

• Max. Emitter-Basis-Spannung (V)

  7@NPN|6@PNP

• Max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V)

  0.4@5mA@50mA@NPN|0.5@5mA@50mA@PNP

• Max. DC-Kollektorstrom (A)

  0.15

• Max. Kollektorsperrstrom (nA)

  100

• Mindestgleichstromverstärkung

  120@1mA@6V

• Max. Leistungsaufnahme (mW)

  150

• Mindestbetriebstemperatur (°C)

  -55

• Max. Betriebstemperatur (°C)

  150

• Verpackung

  Tape and Reel

• Befestigung

  Surface Mount

• Verpackungshöhe

  0.45(Max)

• Verpackungsbreite

  1.3(Max)

• Verpackungslänge

  1.7(Max)

• Leiterplatte geändert

  6

• Standard-Verpackungsname

  SOT

• Lieferantenverpackung

  EMT

• Stiftanzahl

  6

• Leitungsform

  Flat