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MOSFET

DN2530N8-G

Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Microchip Technology
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • SVHC
    Yes
  • Automotive
    No
  • PPAP
    No
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Matériau
    Si
  • Configuration
    Single Dual Drain
  • Mode canal
    Depletion
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    300
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Courant de drain continu maximal (A)
    0.2
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    12000@0V
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    300(Max)@25V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    1600
  • Temps de descente type (ns)
    20(Max)
  • Temps de montée type (ns)
    15(Max)
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    15(Max)
  • Délai type de mise en marche (ns)
    10(Max)
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    150
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    1.6(Max)
  • Largeur du paquet
    2.6(Max)
  • Longueur du paquet
    4.6(Max)
  • Carte électronique changée
    3
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    SOT
  • Conditionnement du fournisseur
    SOT-89
  • Décompte de broches
    4

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception