Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
COMPONENTS
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
40
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
3
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
15
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
1
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
6.5@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
12.4@4.5V|29.1@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
29.1
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
1895@30V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2700
Typische Abfallzeit (ns)
3.5
Typische Anstiegszeit (ns)
4.5
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
16.2
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.4
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
175
Temperaturbereich Lieferant
Automotive
Verpackung
Tape and Reel
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.05(Max)
Verpackungsbreite
5.8
Verpackungslänge
4.9
Leiterplatte geändert
8
Lieferantenverpackung
PowerDI B
Stiftanzahl
8
Quantité de commande