MOSFET

CSD19538Q3AT

Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R

Texas Instruments

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.55

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  100

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  3.8

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Courant de drain continu maximal (A)

  15

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  1

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  59@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  4.3@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  4.3

• Barrière type pour drainer la charge (nC)

  0.8

• Barrière type à la source de la charge (nC)

  1.6

• Charge de récupération inverse type (nC)

  94

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  349@50V

• Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)

  12.6@50V

• Tension seuil de barrière minimale (V)

  2.8

• Capacitance type de sortie (pF)

  69

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  2800

• Temps de descente type (ns)

  2

• Temps de montée type (ns)

  3

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  7

• Délai type de mise en marche (ns)

  5

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  49@10V|58@6V

• Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)

  37

• Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)

  55

• Tension type directe de diode (V)

  0.85

• Tension de plateau de barrière type (V)

  4.9

• Temps inverse de recouvrement type (ns)

  32

• Tension maximale directe de diode (V)

  1

• Tension seuil de barrière type (V)

  3.2

• Résistance de barrière maximale (Ohm)

  9.2

• Tension maximale de source barrière positive (V)

  20

• Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)

  4.9

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  0.85(Max)

• Largeur du paquet

  3.1(Max)

• Longueur du paquet

  3.25(Max)

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  SON

• Conditionnement du fournisseur

  VSONP EP

• Décompte de broches

  8