Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Configuration
Single
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
30
Tension minimale de source barrière (V)
20
Tension seuil de barrière maximale (V)
1.7
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Courant de drain continu maximal (A)
5.9
Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
50
IDSS maximal (uA)
0.1
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
27@10V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
1.9@4.5V|3.9@10V
Charge de barrière type @ 10V (nC)
3.9
Barrière type pour drainer la charge (nC)
0.39
Barrière type à la source de la charge (nC)
0.53
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
292@15V
Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)
5.7@15V
Tension seuil de barrière minimale (V)
0.9
Capacitance type de sortie (pF)
166
Dissipation de puissance maximale (mW)
1400
Temps de descente type (ns)
11
Temps de montée type (ns)
4
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
31
Délai type de mise en marche (ns)
4
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
150
Emballage
Tape and Reel
Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
22@10V|26@4.5V
Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W)
1.4
Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)
34
Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)
245(Typ)
Tension type directe de diode (V)
0.74
Tension de plateau de barrière type (V)
1.4
Tension maximale directe de diode (V)
1
Tension seuil de barrière type (V)
1.3
Tension maximale de source barrière positive (V)
20
Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)
5.9
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
0.35(Max)
Largeur du paquet
0.77(Max)
Longueur du paquet
1.53(Max)
Carte électronique changée
3
Conditionnement du fournisseur
PicoStar
Décompte de broches
3