MOSFET

CSD17578Q3A

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R

Texas Instruments

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active

• Code HTS

  8541.29.00.95

• SVHC

  Yes

• Automotive

  No

• PPAP

  No

• Catégorie

  Power MOSFET

• Matériau

  Si

• Configuration

  Single Quad Drain Triple Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  30

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  1.9

• Operating Junction Temperature (°C)

  -55 to 150

• Courant de drain continu maximal (A)

  20

• Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)

  100

• IDSS maximal (uA)

  1

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  7.3@10V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  7.9@4.5V|17.1@10V

• Charge de barrière type @ 10V (nC)

  17.1

• Barrière type pour drainer la charge (nC)

  1.7

• Barrière type à la source de la charge (nC)

  3.3

• Charge de récupération inverse type (nC)

  4.4

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  1150@15V

• Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)

  56@15V

• Tension seuil de barrière minimale (V)

  1.1

• Capacitance type de sortie (pF)

  134

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  2500

• Temps de descente type (ns)

  1

• Temps de montée type (ns)

  6

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  13

• Délai type de mise en marche (ns)

  2

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  6.3@10V|8.2@4.5V

• Dissipation de puissance maximale sur PCB @ TC=25°C (W)

  2.5

• Courant maximal de drainage pulsé @ TC=25°C (A)

  142

• Résistance thermique ambiante maximale de la jonction sur PCB (°C/W)

  60

• Tension type directe de diode (V)

  0.8

• Tension de plateau de barrière type (V)

  2.8

• Temps inverse de recouvrement type (ns)

  6

• Tension maximale directe de diode (V)

  1

• Tension seuil de barrière type (V)

  1.5

• Résistance de barrière maximale (Ohm)

  3.6

• Tension maximale de source barrière positive (V)

  20

• Courant maximal de drainage continu sur PCB @ TC=25°C (A)

  14

• Installation

  Surface Mount

• Hauteur du paquet

  0.85(Max)

• Largeur du paquet

  3

• Longueur du paquet

  3.15

• Carte électronique changée

  8

• Nom de lemballage standard

  SON

• Conditionnement du fournisseur

  VSONP EP

• Décompte de broches

  8

• Forme de sonde

  No Lead