Spécifications techniques du produit
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.29.00.55
SVHC
Yes
Taux de SVHC dépassant le seuil autorisé
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Catégorie
Power MOSFET
Matériau
SiC
Configuration
Single Dual Source
Mode canal
Enhancement
Type de canal
N
Nombre d'éléments par puce
1
Tension drain-source maximale (V)
1200
Tension minimale de source barrière (V)
19
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Courant de drain continu maximal (A)
104
Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
29@15V
Charge de barrière type @ Vgs (nC)
177@15V
Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
5100@1000V
Dissipation de puissance maximale (mW)
405000
Temps de descente type (ns)
13
Temps de montée type (ns)
39
Délai type de mise à l'arrêt (ns)
54
Délai type de mise en marche (ns)
17
Température de fonctionnement minimale (°C)
-55
Température de fonctionnement maximale (°C)
175
Échelle de température du fournisseur
Industrial
Installation
Through Hole
Hauteur du paquet
21.14(Max)
Largeur du paquet
5.21(Max)
Longueur du paquet
16.13(Max)
Carte électronique changée
4
Onglet
Tab
Nom de lemballage standard
TO
Conditionnement du fournisseur
TO-247
Décompte de broches
4