Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant with Exemption
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Obsolete
HTS
8541.29.00.95
SVHC
Yes
SVHC überschreitet Schwellenwert
Yes
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single Quad Drain Triple Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
25
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
22
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
500
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
1.8@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
17@4.5V|36@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
36
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
2500@12V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
2100
Typische Abfallzeit (ns)
3.6
Typische Anstiegszeit (ns)
4.8
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
25
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
5.2
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
1.5@10V|2@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
3.3
Verpackungslänge
3.3
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SON
Lieferantenverpackung
TSDSON EP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
No Lead
Quantité de commande