MOSFET

BSS169H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Infineon Technologies AG

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• Statut de pièce

  Active

• Automotive

  Yes

• PPAP

  Unknown

• Catégorie

  Small Signal

• Configuration

  Single

• Mode canal

  Depletion

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Tension drain-source maximale (V)

  100

• Tension minimale de source barrière (V)

  ±20

• Tension seuil de barrière maximale (V)

  1.8

• Courant de drain continu maximal (A)

  0.17

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  12000@0V

• Charge de barrière type @ Vgs (nC)

  2.1@7V

• Barrière type pour drainer la charge (nC)

  0.9

• Barrière type à la source de la charge (nC)

  0.12

• Charge de récupération inverse type (nC)

  9.7

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  51@25V

• Capacitance type de sortie (pF)

  9

• Dissipation de puissance maximale (mW)

  360

• Temps de descente type (ns)

  27

• Temps de montée type (ns)

  2.7

• Délai type de mise à l'arrêt (ns)

  11

• Délai type de mise en marche (ns)

  2.9

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -55

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  150

• Emballage

  Tape and Reel

• Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)

  2900@10V|5300@0V