The ON Semiconductor MOSFET is an N channel MOSFET transistor which operates in enhancement mode. Its maximum power dissipation is 225 mW. The maximum Drain Source Voltage of the product is 50 V and Gate Source Voltage is ±20 V. This MOSFET has an operating temperature range of -55°C to 150°C.
Features and Benefits:
• Low Threshold Voltage (VGS(th): 0.85 V-1.5 V) Makes it Ideal for Low Voltage Applications
• Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
• BVSS Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Application:
• DC-DC converters
• Power management in portable and battery-powered products such as computers
• Printers
• PCMCIA cards
• Cellular and cordless telephones.
Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
Part Status
Active
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Single
Prozesstechnologie
0.8um to 3um
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
1
Max. Drain-Source-Spannung (V)
50
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
1.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
0.2
Max. Gate-Source-Leckstrom (nA)
100
Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA)
0.5
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
3500@5V
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
40@25V
Typische Rückübertragungskapazität bei Vds (pF)
3.5@25V
Mindest-Gate-Schwellwertspannung (V)
0.85
Typische Ausgangskapazität (pF)
12
Max. Leistungsaufnahme (mW)
225
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
20(Max)
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
20(Max)
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Max. positive Gate-Source-Spannung (V)
20
Max. gepulster Drain-Strombereich bei TC = 25 °C (A)
0.8
Typische Gate-Plateau-Spannung (V)
1.9