Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
LTB
HTS
COMPONENTS
Automotive
No
PPAP
No
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Dual Dual Drain
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
30
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±20
Max. Gate-Schwellwertspannung (V)
2
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
8
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
15@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6.1@4.5V|12.6@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
12.6
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
970@15V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1400
Typische Abfallzeit (ns)
4.2
Typische Anstiegszeit (ns)
3.8
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
8.7
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
7.3
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Verpackung
Tape and Reel
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
12.5@10V|14.6@4.5V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1.65(Max)
Verpackungsbreite
4(Max)
Verpackungslänge
5(Max)
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
DSO
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Quantité de commande