MOSFETs RF

BLF888A,112

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539A

Ampleon

Spécifications techniques du produit

• RoHS (Union Européenne)

  Compliant

• ECCN (États-Unis)

  EAR99

• Statut de pièce

  Active-Unconfirmed

• Code HTS

  8541.29.00.55

• Automotive

  Unknown

• PPAP

  Unknown

• Configuration

  Dual Common Source

• Mode canal

  Enhancement

• Type de canal

  N

• Nombre d'éléments par puce

  1

• Mode de fonctionnement

  2-Tone Class-AB|DVB-T|Pulsed RF Class-AB

• Technologie de traitement

  0.14um

• Tension drain-source maximale (V)

  110

• Tension minimale de source barrière (V)

  11

• VSWR maximal

  10

• Résistance maximale de source de drainage (mOhm)

  143(Typ)@6.15V

• Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)

  220@50V

• Capacitance de transfert inverse type @ Vds (pF)

  1.2@50V

• Capacitance type de sortie @ Vds (pF)

  74@50V

• Puissance de sortie (W)

  250(Min)

• Gain de puissance type (dB)

  21

• Fréquence maximale (MHz)

  860

• Fréquence minimale (MHz)

  470

• Efficacité de drainage type (%)

  46

• Température de fonctionnement minimale (°C)

  -65

• Température de fonctionnement maximale (°C)

  200

• Emballage

  Bulk

• Installation

  Screw

• Hauteur du paquet

  4.7(Max)

• Largeur du paquet

  10.29(Max)

• Longueur du paquet

  41.28(Max)

• Carte électronique changée

  5

• Nom de lemballage standard

  SOT

• Conditionnement du fournisseur

  SOT-539A

• Décompte de broches

  5