Spécifications techniques du produit
RoHS (Union Européenne)
Compliant
ECCN (États-Unis)
EAR99
Statut de pièce
Active
Code HTS
8541.41.00.00
Automotive
No
PPAP
No
Type
Chip
Type de phototransistor
Phototransistor
Type de forme d'objectif
Flat
Matériau
Silicon
Nombre de canaux par puce
1
Polarité
NPN
Orientation de visualisation
Side View
Crête de longueur d'onde (nm)
940
Temps de montée maximal (ns)
15000(Typ)
Temps de descente maximal (ns)
15000(Typ)
Courant collecteur maximal (mA)
0.3(Typ)
Courant d'obscurité maximal (nA)
100
Tension maximale de collecteur émetteur (V)
5
Tension collecteur-émetteur maximale (V)
30
Tension de saturation maximale de collecteur-émetteur (V)
0.8
Dissipation de puissance maximale (mW)
100
Technologie de fabrication
NPN Transistor
Température de fonctionnement minimale (°C)
-40
Température de fonctionnement maximale (°C)
85
Emballage
Tape and Reel
Installation
Surface Mount
Hauteur du paquet
1
Largeur du paquet
2
Longueur du paquet
3
Carte électronique changée
2
Conditionnement du fournisseur
SMD
Décompte de broches
2