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MOSFET

AOD2922

Trans MOSFET N-CH 100V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Alpha and Omega Semiconductor
Fiches techniques 

Spécifications techniques du produit
  • RoHS (Union Européenne)
    Compliant with Exemption
  • ECCN (États-Unis)
    EAR99
  • Statut de pièce
    Active
  • Code HTS
    8541.29.00.55
  • Automotive
    Unknown
  • PPAP
    Unknown
  • Catégorie
    Power MOSFET
  • Configuration
    Single
  • Mode canal
    Enhancement
  • Type de canal
    N
  • Nombre d'éléments par puce
    1
  • Tension drain-source maximale (V)
    100
  • Tension minimale de source barrière (V)
    ±20
  • Tension seuil de barrière maximale (V)
    2.7
  • Courant de drain continu maximal (A)
    7
  • Courant de fuite maximal de source de barrière (nA)
    100
  • IDSS maximal (uA)
    1
  • Résistance maximale de source de drainage (mOhm)
    140@10V
  • Charge de barrière type @ Vgs (nC)
    1.8@4.5V|3.8@10V
  • Charge de barrière type @ 10V (nC)
    3.8
  • Capacitance d'entrée type @ Vds (pF)
    250@50V
  • Dissipation de puissance maximale (mW)
    5000
  • Temps de descente type (ns)
    5
  • Temps de montée type (ns)
    3
  • Délai type de mise à l'arrêt (ns)
    19
  • Délai type de mise en marche (ns)
    5
  • Température de fonctionnement minimale (°C)
    -55
  • Température de fonctionnement maximale (°C)
    175
  • Emballage
    Tape and Reel
  • Résistance type à une source de drainage @ 25°C (mOhm)
    117@10V|140@4.5V
  • Installation
    Surface Mount
  • Hauteur du paquet
    2.29
  • Largeur du paquet
    6.1
  • Longueur du paquet
    6.6
  • Carte électronique changée
    2
  • Onglet
    Tab
  • Nom de lemballage standard
    TO
  • Conditionnement du fournisseur
    DPAK
  • Décompte de broches
    3

Documentation et ressources

Fiches techniques
Ressources de conception