Spécifications techniques du produit
RoHS EU
Compliant
ECCN (USA)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.55
Automotive
Unknown
PPAP
Unknown
Kategorie
Power MOSFET
Konfiguration
Dual Common Drain Dual Source
Kanalmodus
Enhancement
Kanalart
N
Anzahl von Elementen pro Chip
2
Max. Drain-Source-Spannung (V)
20
Max. Gate-Source-Spannung (V)
±12
Max. Dauer-Drain-Strom (A)
7
Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm)
21@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)
6@4.5V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)
6
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)
500@10V
Max. Leistungsaufnahme (mW)
1500
Typische Abfallzeit (ns)
18000
Typische Anstiegszeit (ns)
1
Typische Abschaltverzögerungszeit (ns)
7400
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)
1
Mindestbetriebstemperatur (°C)
-55
Max. Betriebstemperatur (°C)
150
Typischer Drain-Source-Widerstand bei 25 °C (mOhm)
17.2@10V|19.4@4.5V|20.7@3.6V|25@2.5V|35@1.8V
Befestigung
Surface Mount
Verpackungshöhe
1
Verpackungsbreite
4.4
Verpackungslänge
3
Leiterplatte geändert
8
Standard-Verpackungsname
SO
Lieferantenverpackung
TSSOP
Stiftanzahl
8
Leitungsform
Gull-wing
Quantité de commande